【摘 要】
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本文针对传统直接覆铜陶瓷板(DBC)铝线键合的半导体封装模块线路杂散电感大的缺点,提出一种新型的基于DBC 与PCB 的具有多层结构的混合型低感碳化硅(SiC)半桥封装集成模
【机 构】
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华中科技大学强电磁工程与新技术国家重点实验室,武汉 430074
【出 处】
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第九届中国高校电力电子与电力传动学术年会
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本文针对传统直接覆铜陶瓷板(DBC)铝线键合的半导体封装模块线路杂散电感大的缺点,提出一种新型的基于DBC 与PCB 的具有多层结构的混合型低感碳化硅(SiC)半桥封装集成模块.该模块主回路及驱动回路杂散电感低.不仅直流侧电容可直接安置在PCB 上,而且驱动端可直接通过键合线连接至PCB 上实现Kelvin 连接,结构紧凑,消除了传统的接线端子进一步减小了线路电感.通过在AnsysQ3D 中对该模块进行杂散参数抽取,可得到半桥主回路杂散电感仅为3.38nH,并得到了结构参数对半桥模块杂散电感的影响关系；另外,通过Ansys Maxwell 静电场分析进行了绝缘设计及灌封材料选取.半桥模块的尺寸仅为21mm×11.5mm 比一支TO-247 封装的MOSFET 还要小.最后,通过阻抗分析仪测量含直流侧电容的半桥回路总电感仅为14.6nH.
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