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改进提高IC可靠性以包括加速试验、失效分析和反馈纠正在内的失效物理或可靠性物理为基础，它对IC的设计、制造和合理使用都极重要。本文给出了近十年来一些厂家、实验室不同IC的失效分布和主要失效机理激活能及其加速或诱发应力。IC失效的原因，通常可归纳为材料、设计、制造及其使用等四类。本文着重介绍了当前IC器件中同衬底Si材料缺陷，可动离子和微粒沾污以及水汽、静电等有关的失效问题。（李大光摘）