本文讨论晶硅太阳组件在实验室测试和实际使用过程中发生的几种失效机制及由此导致的功率衰减、部件损坏、安全隐患，分析了这些失效机制的可能原由，并对列举的失效机制在设计、选料、生产和使用过程中的防范措施给出了建议，指出为确保组件的质量主要由组件的物料匹配，结构设计，生产工序所决定。为了能减少晶硅光伏组件在使用过程中的失效几率，本文比较了实验室加速老化测试结果和已经收集到的几种失效机制之间的关系，并结合组
由于晶体硅太阳电池所用单、多晶硅基材的自身特性，虽然已有相当成熟的工艺技术实现金属电极与晶体硅太阳电池基片间的欧姆接触，并非常好的控制了电极金属化过程对PN结特性的影响。但在晶体硅太阳电池大规模工业化生产过程中，控制工艺成本和保持高的光电转化效率这对矛盾中，人们一直在找寻一个最佳平衡点。本文介绍了四种晶体硅电池金属化技术：光刻技术、埋栅接触和电镀技术、接触型印刷技术及非接触型印刷技术。比较了各种技
The demand of cell convert efficiency is becoming much higher in the recent years.But single cell structure becomes less and less sufficient for the increasing efficiency demand,so structure combinati
硅片价格下降后，银浆在电池片制造中所占成本比例大增，削减电极的耗银量成为国内电池制造工艺降低成本的重要任务。工艺上目前主要通过镂空电极和降低电极厚度等方法。而降低电极厚度易导致电极附着力不稳定。本研究从银浆设计、电池片工艺、组件焊接工艺出发，分析了影响焊接附着力的因素。结果表明，电极致密度、印刷厚度、烧结温度、焊带材质、助焊剂活性、焊带浸泡时间、焊带敞露时间、剥离方式等对附着力有重要影响。
通过异质结数值计算软件AFORS-HET 模拟n 型单晶硅衬底上的带有本征薄层的异质结结构(HIT)太阳电池，着重研究了在富氢非晶硅材料的p 型发射层和本征层中缺陷态密度(DOS)带来的影响。基于精确的态密度分布物理模型，得到缺陷态中陷入的载流子浓度，从而揭示其中载流子缺陷效应。本文清晰的呈现了缺陷效应的物理图像并讨论了效率高于20％的HIT 结构太阳电池所要求的DOS 的范围。
晶硅太阳电池的前栅电极是决定其效率和制造成本的关键因素之一。传统的丝网印刷银电极因其低高宽比、高接触电阻、多孔以及高成本已无法满足人们的需求。为此,新的前栅极技术不断涌现, 如：双重丝网印刷技术1,2,丝网印刷加电镀或光诱导电镀3-5,选择性发射极6,7,激光或化学可开槽光诱导电镀8-10,这些新技术显著提高太阳电池的转换效率,但由于增加了激光或化学开槽、预制种子层等繁琐工序,使得这些前栅电极技术