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石墨烯中电子具有线性的色散关系和常温下非常高的迁移率,可以用来替代硅基材料成为下一代半导体行业的新希望[1].现在大面积石墨烯生长主要是有两种:SiC 外延生长[2]和金属辅助生长[3].为了避免高昂的成本和转移过程的繁琐工艺,我们在绝缘衬底上采用CVD 方法进行石墨烯生长的研究.利用光学拉曼谱仪[4]和原子力显微镜对绝缘衬底上生长的石墨烯进行表征.