MOCVD技术制备PZT薄膜的均匀性研究

• 作 者: 谢丹;阮勇;任天令;林惠旺;刘理天;
• 机 构: 清华大学微电子所 清华信息科学与技术国家实验室，北京 100084
• 出 处: 第十二届全国电介质物理、材料与应用学术研讨会
• 发表日期: 2008年期

本研究利用液态疏运方式(Liquid-Delivery)的MOCVD技术(LD-MOCVD)在金属衬底和硅衬底上制备了PZT薄膜，并对PZT薄膜的厚度均匀性、成分均匀性以及温度均匀性进行了研究。PZT薄膜在20.32cm硅衬底上的均匀性达到±3.24％。由于MOCVD制备PZT薄膜的过程中，薄膜的均匀性与Zr、Ti和Pb三种元素的沉积速率有关，因此，控制三种元素的源材料的用量非常关键。通过优化元素配比及温度分布，我们获得了较好的薄膜成分均匀性。在PbZr0.4Ti0.6O3薄膜中，Pb、Zr和Ti三种元素的成分均匀性分别为士0.9％、±0.3％和±0.3％。同时，薄膜的均匀性和薄膜的性能还与淀积温度、基片旋转速度、气体流量、沉积气压以及衬底材料的选择等因素有关，因此，要获得均匀致密、性能良好的PZT薄膜，还必须以上因素的协调与优化。