【摘 要】
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本文主要介绍了采用“离子注入”和低温热处理等工艺研制高性能大面积PIN器件技术以及探测器的主要电学特性.高阻N型硅片上有源区面积为10×10mm和16×17mm的两种二极管实验
【出 处】
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第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议
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本文主要介绍了采用“离子注入”和低温热处理等工艺研制高性能大面积PIN器件技术以及探测器的主要电学特性.高阻N型硅片上有源区面积为10×10mm<2>和16×17mm<2>的两种二极管实验样品在全耗尽偏置电压下(Vd=70V),环境温度为25℃时的暗电流分别为1.31nA和2.96NnA,暗电流达到≤5nA的性能指标,端电容分别为≤50pF和≤120pF.器件的电学性能良好,在量能器等应用系统中是一种理想的光探测器元件.
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