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采用热丝化学气相沉积技术,在气流入射角度分别为0°和45°下,制备了硅薄膜,研究了氢稀释度(RH=H2/(H2+SiH4))对薄膜表面形貌的影响.垂直入射制备的硅薄膜,薄膜厚度较小时近似表现为自仿射表面,随着厚度增加,Mound 结构产生.45°入射角制备的样品,由于沉积过程中存在较强的影蔽效应,功率谱密度(PSD)函数中出现明显的峰值,为典型的Mound 表面.在不同的入射角度情况下,提高氢稀释度对薄膜演化产生了不同的影响.垂直入射时,RH=0 时薄膜表面较平滑,当RH 增加到72％时,薄膜表面粗糙度增加.在45°入射角下,提高RH 可以降低薄膜表面平均颗粒尺寸L 和特征波长λ,显著抑制Mound 结构的形成和长大.结合AFM 图象和PSD 函数等,分析了氢在硅薄膜形貌演化中的作用.