【摘 要】
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介绍了适合工作在恶劣环境下的TaN薄膜应变计的特性。应变计通过中频反应磁控溅射沉积在镀有多层过渡层的金属基片上。主要研究了生长参数对TaN薄膜的微观结构,TaN薄膜应变计
【机 构】
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电子科技大学微电子与固体电子学院,四川成都610054
【出 处】
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2009航空试验测试技术学术交流会
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介绍了适合工作在恶劣环境下的TaN薄膜应变计的特性。应变计通过中频反应磁控溅射沉积在镀有多层过渡层的金属基片上。主要研究了生长参数对TaN薄膜的微观结构,TaN薄膜应变计的电阻温度系数以及应变因子的影响。研究结果显示：氮分压和基片温度是影响TaN薄膜的微观结构及TaN薄膜应变计的应变因子的两个主要因素,随着氮分压从5％上升到60％,所制备TaN薄膜的结构由面心立方TaN逐渐过渡到六角Ta5N6；随着基片温度的增大,应变计的电阻温度系数的绝对值减小。
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