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会议论文
锰氧化物薄膜中的氧含量效应与应变效应研究
锰氧化物薄膜中的氧含量效应与应变效应研究
来源 :第六届国内外磁学与磁性材料发展及应用技术交流会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:CoolSky_BO
【摘 要】
:
钙钛矿结构锰氧化物有两个特点,一是大的磁电阻效应,二是大的电子自旋极化率.本文研究体材料的氧含量效应和应变效应.
【作 者】
:
孙继荣
熊昌民
沈保根
杨晓华
黄康权
【机 构】
:
中国科学院物理研究所香港中文大学物理系
【出 处】
:
第六届国内外磁学与磁性材料发展及应用技术交流会
【发表日期】
:
2003年2期
【关键词】
:
锰氧化物薄膜
氧含量效应
应变效应
磁电阻效应
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钙钛矿结构锰氧化物有两个特点,一是大的磁电阻效应,二是大的电子自旋极化率.本文研究体材料的氧含量效应和应变效应.
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