【摘 要】
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石墨烯(Gr)因具有超高的电导率和透光率被广泛应用在光电子器件做窗口电极.但研究表明:Gr和P-GaN功函数不匹配,导致产生较高的肖特基势垒,使得Gr作为透明电极应用于GaN基LED
【机 构】
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重庆大学物理学院应用物理系,重庆 401331
【出 处】
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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
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石墨烯(Gr)因具有超高的电导率和透光率被广泛应用在光电子器件做窗口电极.但研究表明:Gr和P-GaN功函数不匹配,导致产生较高的肖特基势垒,使得Gr作为透明电极应用于GaN基LED仍有一系列问题,如启动电压偏大等.为降低Gr与p-GaN之间的功函数差,在两者之间插入超薄的高功函数金属层、氧化铟锡(ITO)、氧化镍(NiOx)等是降低势垒、减小接触电阻的有效途径.同时,采用高导电的复合透明电极后,会导致横向电流拥挤,在n电极附近产生局部热点,因此,有必要优化p、n电极结构,以缓解该现象.为优化中间层与石墨烯的厚度等参数及p、n电极结构，本文利用有限元方法对Gr/ITO，Gr/NiOx两种复合透明电极LED的光电热性能进行了模拟计算，主要从结温、有源区的电流密度分布均匀度和窗口电极的透光率三个方面综合考虑，对Gr层数、ITO厚度、NiOx厚度及电极结构进行了优化。
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