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目前,密闭封装的GaAs微波器件中存在着与氢效应(也称"氢中毒")相关的可靠性问题,这些可靠性问题会通过影响器件势垒层的有效失主浓度、改变肖特基内建势、减少沟道载流子浓度,从而使得微波器件的直流与微波性能发生退化.本文针对国产GaN基HEMT器件开展了氢气试验，研究了试验前后氢气对GaN基HEMT器件直流电参数的影响。氢气会对GaN基HEMT器件的栅漏二极管特性和栅延迟特性产生影响，主要原因是由于氢气分解成氢原子扩散至器件表面和势垒层中，钝化了表面态和部分势垒层缺陷。且氢气并不会如其他文献中所说，改变势垒层高度。在后续工作中，还需要进一步研究不同氢气浓度对器件性能、材料特性的影响。