【摘 要】
：
研究了在沉积肖特基金属之前,氟基等离子体处理n 型掺杂的Al0.45Ga0.55N的表面对该肖特基接触反向漏电的影响.并且研究了氟基等离子处理后将样品400℃氮气气氛下退火十分
【机 构】
：
北京大学物理学院人工介观与微结构国家重点实验室北京100871北京燕园中镓半导体工程研发中心有限公司北京100096
论文部分内容阅读
研究了在沉积肖特基金属之前,氟基等离子体处理n 型掺杂的Al0.45Ga0.55N的表面对该肖特基接触反向漏电的影响.并且研究了氟基等离子处理后将样品400℃氮气气氛下退火十分钟对反向漏电的影响.结果发现与未做氟基等离子体处理的样品相比,经过处理的Al0.45Ga0.55N 肖特基二极管在反向-10V 的漏电流密度要小三个数量级,而退火的样品在此基础上又减小了一个量级.本文对该样品进行了C-V 特性的分析和XPS 分析,X 射线光电子谱分析和C-V 证明了处理过的样品表面Ga-F 和Al-F 键的形成.反向漏电的减少可能是由氟基等离子体处理耗尽了电子和有效钝化了表面态导致的.而退火则使F 离子扩散进入了AlGaN 材料体内,因为F 基等离子体是极强的负电中心,所以造成了漏电流的进一步减小.
其他文献
複循環電廠為21世紀主流電廠之一,由於航太材料及冷卻技術進步,促使氣渦輪機排氣溫度都在600℃以上,目前複循環電廠熱效率分析模式,仍沿襲傳統火力電廠格式,除了平均負載
针对入侵检测系统中数据匹配速度较慢的问题，提出了一种高效的模式匹配算法IBMHS_W (lmprovedBMHS—W)。该算法基于确定型有穷自动机，通过在模式串移动过程中加入字符比较，
针对涉密人员风险评估的不确定性问题，本文基于证据理论建立了涉密人员风险评估指标体系和模型，并提出了具体算法，通过仿真实例计算，验证了该方法能较好地解决评价过程中遇到
用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法研究了生长压力和Ⅴ/Ⅲ对AlInN材料的生长模式及其结构和性质的影响。原子力显微镜(AFM)测试发现,随着反应室压力的升高,AlInN
本文针对晶Si太阳电池需要的宽谱广角减反性能，利用旋涂法在单晶Si抛光表面制备PS 纳米球单层膜，并通过氧等离子体反应离子刻蚀(RIE)调控其占空比，大面积低成本地形成晶Si材
提出了一种基于二值图像的抗打印扫描文本水印算法，使用虚拟平均黑点数实现了一个汉字嵌入lbit数据的水印容量，避免了可翻转点较少的汉字对算法性能造成的瓶径。实验分析表
采用低压金属有机物化学气相沉积设备在GaAs衬底上生长了GaxIn1-xP(x=0.52-0.22)渐变过渡层及其上的In0.3Ga0.7As外延层，并用高分辨X 射线衍射仪和透射电镜对过渡层进行了
稀土掺杂氮化镓有非常广泛的应用,如波导,光涂层,光电子器件等.我们通过将氧化镓和氧化铕固相粉末混合后通氨气氮化的方法研究了氮化镓掺铕的特性.掺杂铕的浓度分别控制
通过对太阳能制冷分区蓄热水箱的蓄热、放热分析，提出一种变体积流量水泵的分区蓄热水箱。分区蓄热水箱克服了整体式水箱启动慢的缺点，能够长时间维持高温，提高系统性能。为