晶格异变GaxIn1-xP渐变过渡层生长及应力弛豫研究

• 作 者: 李奎龙 孙玉润 赵勇明 于淑珍 赵春雨 董建荣 杨辉
• 机 构: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,中国科学院纳米器件与应用重点实验室,江苏苏州215123;中国科学院研究生院,北京100049中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,中国科学院纳米器件与应用重
• 出 处: 第十三届全国固体薄膜学术会议
• 发表日期: 2012年8期
• 关键词: 晶格失配 GaInP渐变过渡层 应力释放 穿透位错

　　采用低压金属有机物化学气相沉积设备在GaAs衬底上生长了GaxIn1-xP(x=0.52-0.22)渐变过渡层及其上的In0.3Ga0.7As外延层，并用高分辨X 射线衍射仪和透射电镜对过渡层进行了表征.实验表明，高温生长GaInP 过渡层应力基本释放并呈现各向异性，同时由于高的位错滑移速度和大量位错钉扎中心的存在，导致大量的穿透位错到达顶层In0.3Ga0.7As.低温生长GaInP过渡层在应力释放达到90％以上的同时可以有效地抑制穿透位错向In0.3Ga0.7As 层的延伸，从而获得满足器件要求的过渡层材料.