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本研究首先以高功率脈衝磁控濺射系統使用鈦靶材產生Ti電漿,利用OES光激發光譜儀在相同2％佔空比、不同頻率參數下、通入反應氣體乙炔量測其遲滯曲線,研究結果顯示較高的脈衝頻率可抑制靶材毒化現象；接著利用此濺射系統沉積nc-TiC/a-C：H薄膜,利用OES光激發光譜儀搭配定比例積分微分控制器(proportional integral derivative；PID)以Ti2+離子訊號(365nm)回饋控制乙炔流量,為了確保反應性製程穩定,頻率使用500Hz,製程溫度為75℃,透過控制乙炔流量輸出,調整不同Ti2+離子激發強度(OES比例),以獲得不同型態之nc-TiC/a-C：H薄膜；之後再利用掃描式電子顯微鏡(SEM)來觀察薄膜的表面形貌、斷面結構；以低略角X光繞射儀(GAXRD)分析薄膜結晶結構；以HRTEM分析觀察nc-TiC/a-C：H薄膜顯微組織與結晶結構；以常溫磨耗試驗機量測其摩擦係數與耐磨耗性；以奈米壓痕試驗機量測薄膜硬度與彈性係數；以刮痕試驗機量測薄膜臨界荷重與附著性；以拉曼光譜儀量測薄膜之光譜；以X射線光電子能譜儀(XPS)分析薄膜之組成與化學鍵結.研究結果顯示,在OES設定40％時薄膜主要以TiC相為主並具有最高之硬度值26GPa；在OES設定7％時,薄膜主要為nc-TiC/a-C：H奈米複合組織並具有最低之平均摩擦係數0.088.