论文部分内容阅读
最近几年，二维原子晶体由于其独特的结构和性质受到人们的广泛关注，在电子学、光电子学和光伏器件领域表现出巨大的应用前景。硒化锡(SnSe)，作为一种重要的IV-VI族层状硫属化物，具有超低的热导率和极高的热电优值，其在热电材料和能量转换领域具有巨大的应用前景，此外SnSe也是一种重要的半导体材料，可应用于在电学和光伏方面，这大大地激发了人们对SnSe材料体系的研究热潮。另外，准二维材料由于其维度导致的小尺寸效应、表面效应和量子限域效应等，往往会表现出许多新奇的性质。因此，实现可控地制备高质量的准二维SnSe样品，进而深入研究其特性及其应用就显得尤为重要。我们利用“范德华外延”技术在云母表面通过气相沉积的方法成功地得到了畴区大小在1-6 μm的高质量单晶SnSe纳米薄片。我们研究了其电学和光电性质，结果表明SnSe纳米薄片呈现p型半导体的特性，且有很高的光响应。