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新型AlGaN沟道HEMTs材料生长及器件制备

来源 :第二十届全国半导体物理学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：smaboat

【作 者】

：

李祥东 张进成 哈微 陈兴 张帅 赵胜雷 马晓华 郝跃 

【机 构】

：

宽带隙半导体技术国家重点实验室,西安电子科技大学微电子学院,西安 710071

【出 处】

：

第二十届全国半导体物理学术会议

【发表日期】

：

2015年3期

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