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测量了Bi<,4>Ti<,3>O<,12>陶瓷及其A和B位掺杂的系列材料介电损耗.在温度损耗谱上观察到一损耗峰,通过氧处理和内耗等相关实验手段,证实该峰(P1峰)是与氧空位有关的弛豫峰.同时观察该峰随不同掺杂类型的变化,分析了BTO陶瓷B位掺杂对铁电性的影响.
BiTiO陶瓷及其A和B位掺杂的介电研究
【摘 要】
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测量了BiTiO陶瓷及其A和B位掺杂的系列材料介电损耗.在温度损耗谱上观察到一损耗峰,通过氧处理和内耗等相关实验手段,证实该峰(P1峰)是与氧空位有关的弛豫峰.同时观察该峰随不同掺杂类型的变化,分析了BTO陶瓷B位掺杂对铁电性的影响.
【机 构】
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南京大学固体微结构物理重点实验室(江苏南京)
【出 处】
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2003年第十届全国电介质物理与功能材料学术会议
【发表日期】
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2003年12期
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研究了(Co,Nb,Pr)掺杂的SnO材料介电和压敏性质.当PrO的量分数从0﹪增加到0.1﹪时,SnO压敏电阻的相对介电常数从670降到280,击穿电压从827V/mm猛增到2150V/mm.微观结构分析发现:当PrO的量分数从0﹪增加到0.1﹪时,SnO的晶粒尺寸由4.50μm迅速减小到1.76μm.晶界势垒高度测量揭示SnO的晶粒尺寸迅速减小是介电常数迅速减小及击穿电压急剧增高的原因.对Pr
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