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分析了n型半导化TiO<,2>压敏陶瓷中晶粒间界处的受主态性质,得出为晶界受主态的能级是多级化的;利用晶界平衡热电子发射势垒模型,合理地解释了该材料的I-V非线性特征;从理论上推导出了非线性系数α正比于晶界电压,且与晶界受主态的分布函数有密切关系.
n型半导化TiO压敏陶瓷的导电机制
【摘 要】
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分析了n型半导化TiO压敏陶瓷中晶粒间界处的受主态性质,得出为晶界受主态的能级是多级化的;利用晶界平衡热电子发射势垒模型,合理地解释了该材料的I-V非线性特征;从理论上推导出了非线性系数α正比于晶界电压,且与晶界受主态的分布函数有密切关系.
【机 构】
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广州大学理学院固体物理与材料研究实验室(广州) 广州新日电子有限公司(广州)
【出 处】
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2003年第十届全国电介质物理与功能材料学术会议
【发表日期】
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2003年12期
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气敏元件的性能不但与材料的显微结构有关,而且与气敏过程中氧化还原的产物及量的多少相关.针对此问题,借助于TGA热分析系统对3种不同晶粒尺寸的AlO基气敏元件在不同温度工作时的脱附量、吸附量进行了研究.
在钽钪酸铅中加入钛酸铅,形成具有复合钙钛矿结构的钽钪酸铅-钛酸铅固溶体,可以提高钽钪酸铅材料体系的居里点,降低其制备温度,从而扩大该体系的应用范围.用一步法合成了钽钪酸铅-钛酸铅陶瓷,测试了介电常数和温度的关系.实验结果表明,这种陶瓷的钙钛矿相含量均在90﹪以上,最高相含量达100﹪;该种陶瓷的工艺简单,合成温度低,钙钛矿含量高,有望在工业化生产中得到推广.
热解(NH)[(VO)(CO)(OH)]·10HO晶体前驱体.可制得粒径可控为10~60nm、VO~VO(x纳米粉体.VO纳米粉体烧结成粒径/ρ可达10数量级跳变的VO纳米晶陶瓷.随缺氧的增加,T和ρ/ρ比值降低,晶胞的a,c轴和体积V都随之减小.烧结温度过高,陶瓷出现VO杂相,杂相严重降低陶瓷的性能.
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利用溶胶-凝胶法(Sol-Gel)在Pt/Ti/Si(100)衬底上制备了BaTiO薄膜,研究了不同退火条件下BaTiO薄膜的晶相结构及表面形貌,测试了BaTiO薄膜的电学性能.发现经900℃、120min退火处理的BaTiO薄膜的介电-温度(ε-T)关系具有明显的弥散相变特性.
采用恒电流技术,在室温条件下,金属钨片上制备了白钨矿结构的BaSrWO晶态薄膜,电化学反应的工艺条件:电流密度为1mA/cm、电解液的pH值为12.5;电化学处理时间为1.5h;XRD,XPS,SEM分析结果表明,制备的(Ba,Sr)WO薄膜为表面均匀致密的四方晶系单相同薄膜.
研究了(Co,Nb,Pr)掺杂的SnO材料介电和压敏性质.当PrO的量分数从0﹪增加到0.1﹪时,SnO压敏电阻的相对介电常数从670降到280,击穿电压从827V/mm猛增到2150V/mm.微观结构分析发现:当PrO的量分数从0﹪增加到0.1﹪时,SnO的晶粒尺寸由4.50μm迅速减小到1.76μm.晶界势垒高度测量揭示SnO的晶粒尺寸迅速减小是介电常数迅速减小及击穿电压急剧增高的原因.对Pr
应用Sol-Gel工艺制备了组份为(1-y)BaSrTiO-yMgO的薄膜材料,研究了Mg掺杂BST薄膜晶相结构、介电性能以及绝缘性能的影响规律.实验发现:随着Mg掺杂量的增加,BST薄膜的介电常数、损耗因子以及电容变化率减小,其电阻率则增加;当Mg掺杂量分数为5﹪时,其介电常数为380,损耗因了为0.013,电容变化率为17.5﹪,电阻率为1.0×10Ω·cm.
研究了La掺杂对SrBiTiO铁电介电性能影响.当La含量为0.75时得到剩余极化2P极大值为17.8μC/cm,同时介电常数呈现极大.随La掺杂浓度升高,相变温度T降低.