【摘 要】
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宽禁带半导体普遍具有禁带宽度大、临界击穿场强高、介电常数较低、化学性质稳定等特点,适合制备高压、大功率、高温、抗辐照的电子器件.各种宽禁带半导体又有各自不同的特点
【机 构】
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西安电子科技大学宽带隙半导体技术国家重点学科实验室
【出 处】
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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
论文部分内容阅读
宽禁带半导体普遍具有禁带宽度大、临界击穿场强高、介电常数较低、化学性质稳定等特点,适合制备高压、大功率、高温、抗辐照的电子器件.各种宽禁带半导体又有各自不同的特点和发展趋势.GaN和其他类似的氮化物材料(AlN,InN和多元氮化物合金)具有很强的自发极化和压电极化效应,彼此之间能够形成具有高电导二维电子气的异质结,因此非常适合制备高电子迁移率晶体管(HEMT)结构的微波毫米波功率器件和高效电力电子器件，报告将重点对氮化物半导体、碳化硅、氧化镓和金刚石等宽禁带半导体电子器件的最新发展进行讨论，并对宽禁带半导体电子器件的未来发展进行展望。
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