【摘 要】
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In this paper,we will first report the conditions for growing highly conductive Ga-doped ZnO (GaZnO) thin films and the vapor-liquid-solid (VLS) method for form
【机 构】
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InstituteofPhotonicsandOptoelectronics,TaiwanUniversity,Taipei,10617
【出 处】
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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
论文部分内容阅读
In this paper,we will first report the conditions for growing highly conductive Ga-doped ZnO (GaZnO) thin films and the vapor-liquid-solid (VLS) method for forming GaZnO nanoneedles (NNs) with RF-plasma assisted molecular beam epitaxy.Their material,electrical,and optical characterization results are discussed [1].Then,the applications of GaZnO thin films and NNs to the fabrications of core-shell GaN nanorod light-emitting diode (LED) [2],alternating-current LED [3],and planar LED are reviewed [4].
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