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ITO基板上In-BTC薄膜的制备及后修饰发光研究
【机 构】
:
浙江大学材料科学与工程系,硅材料国家重点实验室,浙江 杭州,310027
【出 处】
:
第13届全国发光学学术会议
【发表日期】
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2013年12期
其他文献
We have prepared d device of MEH-PPV sandwiched between two layers.When the device excited by a sinusoidal voltage, two peaks (408nm and 580nm) were observed.The EL, photoluminescence (PL), transient