碲镉汞晶体生长技术

• 作 者: 宋炳文
• 机 构: 昆明物理研究所
• 出 处: 1989年全国碲镉汞技术交流会
• 发表日期: 1989年期
• 关键词: 碲镉汞 再结晶技术 晶体生长技术 淬火 薄膜晶体生长 增量 简要说明 电学特性 尺寸参数 均匀度 加热器 大面积 组成 移动 旋转 叙述 溶剂 坩锅 方法 底吹

该文把碲镉汞晶体生长技术分成体晶体生长和薄膜晶体生长二大类。叙述了加速坩锅旋转的Bridgman技术（ACRBT）、垂直底吹淬火-再结晶技术、增量淬火-再结晶技术、Te溶剂技术和移动加热器方法（THM）等。简要说明了它们的优缺点及组成均匀度、电学特性和晶体尺寸参数达到的水平，认为增量淬火-再结晶技术和THM为生长优质、大面积CMT晶体展示出可喜的前景。（本刊录）