碲化钨的脉冲激光沉积薄膜生长

来源 :中国物理学会2015年秋季会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:jinmin511
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  最近,碲化钨引发了人们极大的关注,研究表明该材料在低温下存在一个不饱和强磁电阻。与其他材料相比,碲化钨的强磁阻直到60T的高场都不会有饱和的趋势[1]。在该材料基础上进行角分辨光电子能谱的研究证明了在低温下存在大小相同的电子和空穴的“pockets”,而在高温下这种平衡会被打破,所以基本认为是这种完全互补的“pockets”造成了其中不饱和磁电阻现象[2]。
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