不同压强下WTe2的电子结构计算研究

来源 :中国物理学会2015年秋季会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:pc167
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  实验发现WTe2具有极大的不饱和磁阻效应[1],而且施加压力后,WTe2开始出现超导[2-3],这一系列不寻常的物理现象引起实验和理论的广泛关注。理论认为电子型和空穴型载流子互相补偿机制是WTe2材料中出现不饱和磁阻效应的原因[1],ARPES实验也证明WTe2材料中的电子型和空穴型载流子浓度几乎是相等的[4]。
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