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本文研究了SiGeHBT在OC应力(集电极开路,发射结反向偏置)、FC应力(集电结正向偏置,发射结反向偏置)以及热应力下的退化现象.发现基极电流变化量△IB是应力的敏感参数,由此建立了IB的退化模型,并成功地解释了实验现象.
微波功率SiGe HBT的可靠性研究及退化模型的建立
【摘 要】
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本文研究了SiGeHBT在OC应力(集电极开路,发射结反向偏置)、FC应力(集电结正向偏置,发射结反向偏置)以及热应力下的退化现象.发现基极电流变化量△IB是应力的敏感参数,由此建
【机 构】
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北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京,100022
【出 处】
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中国电子学会第十一届青年学术年会
【发表日期】
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2005年期
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