【摘 要】
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本文从热电反馈网络角度出发,在考虑到晶体管发射极电流随温度的变化、发射结价带不连续性(△EV)、重掺杂禁带变窄(△Eg)及基极和发射极加入镇流电阻(RB和RE)等情况下,首次较
【机 构】
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辽宁大学物理系,辽宁,沈阳,110036
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本文从热电反馈网络角度出发,在考虑到晶体管发射极电流随温度的变化、发射结价带不连续性(△EV)、重掺杂禁带变窄(△Eg)及基极和发射极加入镇流电阻(RB和RE)等情况下,首次较全面地给出了功率晶体管热稳定因子S表达式.用该表达式可以很方便、明了地对功率双极晶体管进行热稳定性分析.分析了镇流电阻对射频功率晶体管安全工作区以及S的影响.结果表明,功率异质结双极晶体管(HBT)热稳定性优于同质结双极晶体管,适当选取RB和RE可使S=0,使由器件本身产生的耗散功率而引起的自加热效应被完全补偿,器件特性得以保持,不因自热而产生漂移,这是同质结器件所无法实现的.
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