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在超大规模集成电路(VLSI)工艺中，多晶硅表面的状况对后续的光刻和刻蚀有着重要的影响，而这些关键工艺与产品的良率直接相关。本文所描述的多晶硅鼓包(Poly-bump)是在栅刻蚀后发现的，经过分步实验，发现此多晶硅鼓包发生在多晶硅掺杂工艺中。通过对掺杂工艺中气体流量，掺杂温度，掺杂时间等一系列工艺参数的优化，最终成功的解决了多晶硅鼓包的现象。