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本文介绍了用红外干涉法测试反型N/P硅外延层厚度，并与传统磨角染色法的测试数据进行了对比。用红外干涉法测试反型N/P硅外延层厚度具有快速、准确、无损等优点，重复性实验精密度<1％。
反型N/P硅外延层厚度的红外干涉测试方法
【摘 要】
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本文介绍了用红外干涉法测试反型N/P硅外延层厚度，并与传统磨角染色法的测试数据进行了对比。用红外干涉法测试反型N/P硅外延层厚度具有快速、准确、无损等优点，重复性实验精密
【机 构】
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中国电子科技集团公司第46研究所,天津,300192
【出 处】
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第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议
【发表日期】
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2009年期
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