室温溅射制备的α-SiCN:H膜的结构和光电特性研究

• 作 者: 吴现成;王印月;
• 机 构: 大学物理系
• 出 处: 中国科协第三届青年学术年会
• 发表日期: 1998年期
• 关键词: 薄膜 薄膜生长 磁控溅射 沉积温度

该文通过光吸收谱［α（λ）］、电子自旋共振谱（ＥＳＲ）和电导谱研究了室温下反应溅射方法制备的氢化非晶硅碳氮薄膜（α－ＳｉＣＮ：Ｈ）的结构和光电特性。在固定甲烷流量γ〈，ＣＨ〉〈，４〉＝３℅，氢气流量γ〈，Ｈ〉〈，２〉＝１２℅的情况下改变Ｎ〈，２〉气流量（０～１４℅），研究了暗电导σ〈，Ｄ〉、光学带隙Ｅ〈，ｏｐｔ〉、自旋密度Ｎ〈，ｓ〉等随γ〈，Ｎ〉〈，２〉的变化关系，发现薄膜结构和特性受γ〈，Ｎ〉〈，２〉的明显调制，当γ〈，Ｎ〉〈，２〉～５℅左右时，膜结构和特性均有突变。他们对上述结果进行了较深入的分析。