【摘 要】
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基于巨磁阻抗效应的磁传感器以其体积小,精度高,易于集成等优点受到广泛关注.FeCoSiB材料具有优良的巨磁阻抗效应特性,是制备基于巨磁阻抗效应磁传感器核心探测部件的良
【出 处】
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中国国际地球物理仪器及应用学术研讨会暨中国地球物理学会地球物理技术委员会第五届学术会议
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基于巨磁阻抗效应的磁传感器以其体积小,精度高,易于集成等优点受到广泛关注.FeCoSiB材料具有优良的巨磁阻抗效应特性,是制备基于巨磁阻抗效应磁传感器核心探测部件的良好材料.本文采用磁控溅射的方法制备了更易于实现器件的集成和微型化的FeCoSiB薄膜,并以此作为磁传感器的核心探测器件.然而,单层的FeCoSiB薄膜材料的巨磁阻抗效应并不特别明显,加入Cu中间层后,能明显增强材料的巨磁阻抗效应,使其巨磁阻抗变化率△Z/Z％提高一倍以上.本文综合研究了加入不同厚度Cu中间层后FeCoSiB薄膜的磁学性能和电学性能,发现当Cu中间层厚度为500nm时,FeCoSiB薄膜的矫顽力最小,为2.9094Oe,巨磁阻抗变化率△Z/Z％最大.因此,Cu中间层的加入对FeCoSiB薄膜性能的提高起了至关重要的作用,为制备出更高性能的磁传感器核心探测部件提供了更加优良的材料.
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