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众所周知，晶体管中子损伤常数随发射极电流密度的变化而变化。而双极IC中的每只昌体管爱中子辐射时电流的大小一般而言不能事先估计，从而使得中子损伤常数也是一未知数。如果能找出一种方法，由辐射下的瞬时电流即时地计算出相应的损伤常数，则晶体管的β降低就可即时地计算出来，由此出发预知整个IC的性能变经。该文将从单个晶体管不同电流下中子辐射时损伤常数的预估着手，推出一套适用于计算机模拟的数学模型、实验方法。