【摘 要】
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InAs/GaSb超晶格材料具有典型的Ⅱ型能带结构,其微带带隙覆盖2μ m～30μm的整个中红外波段,且材料自身对红外探测材料中的俄歇复合具有较好的抑制作用.与HgCdTe、InSb等体材料
【机 构】
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中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室100083
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InAs/GaSb超晶格材料具有典型的Ⅱ型能带结构,其微带带隙覆盖2μ m～30μm的整个中红外波段,且材料自身对红外探测材料中的俄歇复合具有较好的抑制作用.与HgCdTe、InSb等体材料以及QWIP多量子阱级联结构相比Ⅱ型超晶格材料具有独特优势,是实现下一代高性能中、远红外焦平面探测器的理想材料.本文以首先运用经验紧束缚方法计算了含有双界面、三界面结构的超晶格的能带结构.计算中采用GaxIn1-x界面模型和sp3s*经验紧束缚理论.
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