In(Ga)N单原子层的分子束外延调控

来源 :第十一届全国分子束外延学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yong1123

【摘要】

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InGaN化合物半导体的禁带宽度从3.39 eV至0.64 eV可调,其波长覆盖了深紫外至近红外波段,这使其在发射波长高度可调的光电器件方面具有很大的应用价值.然而,热力学相的不稳定

【作者】

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王新强郑显通王平马定宇 T.Schulz M.Albrecht

【机构】

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北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京大学物理学院,北京100871莱布尼茨晶体生长研究所,德国柏林12489

【出处】

：

第十一届全国分子束外延学术会议

【发表日期】

：

2015年8期

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InGaN化合物半导体的禁带宽度从3.39 eV至0.64 eV可调,其波长覆盖了深紫外至近红外波段,这使其在发射波长高度可调的光电器件方面具有很大的应用价值.然而,热力学相的不稳定性导致相分离的出现,并引发大量结构缺陷,使得高晶体质量的InGaN薄膜很难实现,尤其是中间In组分和高In组分区域.

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