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利用热蒸发方法在镀金的Si衬底上制备了CdS纳米带，通过改变不同的沉积温度(分别为800、850、900 ℃)，制备获得了不同宽度和厚度的CdS 纳米带。
尺寸对CdS纳米带的PL谱和拉曼谱的依赖关系
【摘 要】
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利用热蒸发方法在镀金的Si衬底上制备了CdS纳米带，通过改变不同的沉积温度(分别为800、850、900 ℃)，制备获得了不同宽度和厚度的CdS 纳米带。
【机 构】
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扬州大学 物理科学与技术学院 225002,江苏扬州
【出 处】
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中国物理学会2013年秋季学术会议
【发表日期】
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2013年期
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