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本文在电子态密度模型研究金属栅/高k结构费米能级钉扎效应的基础上，重点分析了高k/SiO2/Si中间层氧空位对全栅结构费米能级钉扎效应的影响，理论研究表明SiO2中氧空位对金属/高k界面真空能级产生影响，并进一步改变其费米能级钉扎效应以及金属栅极的有效功函数。
高k/SiO2/Si界面对全栅结构费米能级钉扎效应的影响
【摘 要】
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本文在电子态密度模型研究金属栅/高k结构费米能级钉扎效应的基础上，重点分析了高k/SiO2/Si中间层氧空位对全栅结构费米能级钉扎效应的影响，理论研究表明SiO2中氧空位对金
【机 构】
：
北京航空航天大学物理系,北京 100191
【出 处】
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中国物理学会2013年秋季学术会议
【发表日期】
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2013年期
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