利用共沉淀法制备了cu掺杂的Zn1-xCuxO（x=0，0．01，0．02）系列样品。利用X射线衍射仪（XRD）分析了样品的相成分，结果显示600℃烧结、掺杂浓度为1......

本文采用沉淀法分别在不同温度制备了名义组分为Zn1-xCuxO和Zn1-xNixO（x=0.01,0.02,0.04）的系列稀磁半导体块材样品,并对样品的结构......