ELECTRONICSTRUCTURE相关论文
一维二氧化硅纳米材料是当前发光材料的研究热点之一,作为高效发光材料的候选材料,需要了解其电子结构参数和光谱数据。选取一维链......
采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法系统计算了Mg2-xCuxSi(x=0.25)的能带结构、态密度和光学性质。计算结果表明，Mg2-......
本文采用自旋极化MS一X_α方法,在晶体CsMnBr_3实际的D_(3d)低对称晶场下计算了络离子(MnBr_6)~(4-)的电子结构.给出了单电子的本......
基于密度泛函理论的第一性原理方法来研究聚对苯二甲酸乙二酯(PET)分子的电子结构和光学特性, 结果表明：PET分子的轨道贡献主要是由......
基于第一性原理赝势平面波方法，对稀土(Y、Ce)掺杂β-FeSi2的几何结构、电子结构和光学性质进行了计算与分析。几何结构的计算表明，Y......
采用基于DFT理论的第一性原理方法研究了Ag-N共掺杂纤锌矿ZnO的晶格结构和电子结构, 计算了包括共掺杂体系的晶格常数、杂质形成能......
采用基于第一性原理的赝势平面波方法，对不同Al掺杂浓度CrSi2的几何结构、能带结构、态密度和光学性质进行了计算和比较。几何结构......
本文采用自旋极化MS-Xα方法计算了Cr:Mg2SiO4晶体中络离子(CrO4)4-的电子结构,给出了Td群和C(3v)群下的单电子能量本征值、本征函......
采用第一性原理赝势平面波方法，对V-Al共掺杂CrSi2的几何结构、电子结构和光学性质进行了理论计算，并与未掺杂、V、Al单掺杂CrSi2的......
采用基于密度泛函理论(DFT)的广义梯度近似(GGA)的平面波超软赝势方法(PWP)分别对GaN和Cu吸附在GaN(0001)2×2表面atop、H3、T4不......
采用基于密度泛函理论的第一性原理和分子动力学理论,验证了二维GaAs类石墨烯结构的稳定性,计算了二维GaAs的基态电子结构、态密度......
在平面波和赝势法基础上研究了Ca位Na掺杂的钙钛矿型CaMnO3晶体材料的晶体结构、电子结构和光吸收性质, 分析了Na掺杂CaMnO3晶体材......
在局域密度近似下，采用第一性原理方法系统地研究了高压对LaBr3晶体结构、电子结构与光学性质的影响。计算的晶格参数和体弹模量均......
采用密度泛函理论框架下的第一性原理计算方法，利用广义梯度近似和Perdew-Burke-Ernzerdorf泛函，计算了不同Sn掺杂浓度下SZO(Sn∶ZnO......
基于第一性原理计算了稀土元素La、Y分别掺杂和共掺杂Ca2Si的几何结构、能带结构、电子态密度及光学性质。计算结果表明, La单掺杂......
采用第一性原理赝势平面波方法对应力调制下β-FeSi2的电子结构及光学性质进行了计算，全面分析了应力对β-FeSi2能带结构、电子态密......
采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势法，系统研究了Na 四面体掺杂Co(1-x)NaxCr2O4体系的基态结构参数、能带结构、电子态密度、磁......
基于密度泛函理论(DFT)框架下的第一性原理赝势平面波方法，对锕(Ac)掺杂β-FeSi2的几何结构，电子结构和光学性质进行了计算与分析。......
采用基于第一性原理的密度泛函理论(Density functional theory)赝势平面波方法，对应力下Ru2Si3的电子结构和光学性质进行了理论计......
采用密度泛函理论计算分析的方法系统研究了Al掺杂TiO2基晶体材料的电子结构和光学性质.结果表明,本征TiO2材料具有直接带隙型能带......
