【摘 要】
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自1994年报导了第一只采用10μm掺氮6H-SiC漂移层并用P_d作接触金属的1000V肖特基二极管以来,SiC肖特基二极管的阻塞电压得到稳步提高。后来,人们拥有了电子迁移率比6H-SiC
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自1994年报导了第一只采用10μm掺氮6H-SiC漂移层并用P_d作接触金属的1000V肖特基二极管以来,SiC肖特基二极管的阻塞电压得到稳步提高。后来,人们拥有了电子迁移率比6H-SiC高的4H-SiC,并用Ni和Pt作更高势垒的金属接触来提高阻塞电压。
The blocking voltage of the SiC Schottky diode has steadily increased since the first 1000V Schottky diode, which uses a 10μm N-doped 6H-SiC drift layer to contact metal with P_d, was reported in 1994. Later, people possessed 4H-SiC with higher electron mobility than 6H-SiC, and increased the blocking voltage with Ni and Pt as the higher barrier metal contacts.
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