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本文对用液相外延技术制作半导体激光器时所遇到的非平面InP固－液 相界及在不同平面上满足不同的界面反应速度情况做了严格的理论分析，它可以对实际非平面InP生长所遇到的各种情况给出准确的解释。此外，对理论结果进行了数值模拟计算，对界面反应速度作适当拟合之后，得到了与实验一致的结果，从而验证了理论的正确性，可以其作为实际非平面InP液相外延生长时工艺设计与参数选择的依据。