用钛硅化过程中释放的空位消除离子注入射程端缺陷

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在预非晶化硅衬底上淀积Ti金属膜,经600℃及850℃,60分钟退火形成硅化钛,在Ti硅化过程中释放的空位能消除硅衬底上的射程端缺陷,而没有淀积Ti膜的预非晶化硅样品,即使退火温度高达1000℃,射程端缺陷也不能完全被消除。
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