【摘 要】
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研制了一款新型的750V精细沟槽绝缘栅双极型晶体管(IGBT)芯片,并形成了820A/750 V S3+汽车级模块产品。该芯片采用嵌入式发射极沟槽(RET)技术、嵌入式陪栅沟槽(RDT)技术和超
【机 构】
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新型功率半导体器件国家重点实验室,株洲中车时代电气股份有限公司
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研制了一款新型的750V精细沟槽绝缘栅双极型晶体管(IGBT)芯片,并形成了820A/750 V S3+汽车级模块产品。该芯片采用嵌入式发射极沟槽(RET)技术、嵌入式陪栅沟槽(RDT)技术和超薄片加工技术,820 A/750 V S3+模块总损耗相对于上一代800 A/750 V S1模块产品降低29.6%。同时,该S3+模块产品具有强健的极限性能,且可实现175℃工作结温,可很好地满足电动/混动汽车的应用需求。
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