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<正> 作为在半导体圆片中掺入杂质的离子注入,开始时是用于MOS晶体管的V_(th)控制等低浓度掺杂,是一种已获得广泛应用的技术。目前,由于离子注入机性能的提高和工艺的改进,离子注入也能用于MOS LSI的源极、漏极和双极型LSI的发射极等高浓度掺杂,几乎所有的掺杂工艺都可用离子注入技术代替。