【摘 要】
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基于GaAs PHEMT在微波领域的卓越性能,设计并实现了两款Ku波段GaAs单片功率放大器。简述了GaAs PHEMT器件的工作原理,并抽取了精准的EEHEMT模型,通过独特的设计方法并结合相
【机 构】
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专用集成电路重点实验室(石家庄),国防科技信息中心,
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基于GaAs PHEMT在微波领域的卓越性能,设计并实现了两款Ku波段GaAs单片功率放大器。简述了GaAs PHEMT器件的工作原理,并抽取了精准的EEHEMT模型,通过独特的设计方法并结合相应的仿真软件设计了两款Ku波段单片功率放大器。经过精准测试,两款电路呈现的性能如下:在13～14GHz频带内,其中第一款电路的饱和输出功率Po>38dBm(脉宽100μs,占空比10%),功率增益GP>20dB,典型功率附加效率PAE>28%;第二款电路的饱和输出功率Po>40dBm(脉宽100μs,占空比10%),功率增益GP>19dB,典型功率附加效率PAE>28%。结果表明,基于PHEMT的GaAs单片功率放大器在Ku波段可以实现优良的性能。
Based on the outstanding performance of GaAs PHEMT in the microwave field, two Ku-band GaAs monolithic power amplifiers are designed and implemented. The working principle of GaAs PHEMT device is briefly introduced and the accurate EEHEMT model is extracted. Two Ku-band monolithic power amplifiers are designed by unique design method and corresponding simulation software. After precise testing, the performance of the two circuits is as follows: In the 13-14GHz frequency band, the saturated output power of the first circuit Po> 38dBm (pulse width 100μs, duty cycle 10%), the power gain GP> 20dB, typical The power added efficiency PAE> 28%; the second circuit saturation output power Po> 40dBm (pulse width 100μs, duty cycle 10%), the power gain GP> 19dB, typical power added efficiency PAE> 28%. The results show that the PHEMT-based GaAs monolithic power amplifier can achieve excellent performance in the Ku band.
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