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【摘 要】
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随着集成电路工艺水平的不断提高、器件尺寸的不断缩小以及电源的不断降低,传统的锁存器越发容易受到由辐射效应引起的软错误影响。为了增强锁存器的可靠性,提出了一种适用于
【机 构】
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合肥工业大学电子科学与应用物理学院,合肥工业大学计算机与信息学院,
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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2015年05期
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