微波半导体器件

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很多微波半导体器件主要取决于pn结的性质,然而最近出现新的体效应有源器件。为了满足微波频率的要求,所有类型的有源半导体器件必须具有非常小的结,典型的有源面积为10—100微米~2数量级,采用化学腐蚀或触须接触技术可以获得这么小的面积。最近应用平面技术完全可以获得足够小的有源面积,对 Many microwave semiconductor devices depend primarily on the nature of the pn junction, however, recently, new body-effect active devices have emerged. In order to meet the microwave frequency requirements, all types of active semiconductor devices must have very small junctions, with typical active areas on the order of 10-100 microns to 2 microns. Such a small area can be achieved using chemical etching or whisker contact technology. The recent application of planar technology can be sufficiently small active area, right
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