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文章使用XPS技术研究激光辐照区,报道了在激光辐照表面有高浓度氮的引入,在比较不同工艺条件对表面氮浓度影响的基础上,运用化学位移理论和谱峰拟合技术,分析了辐照区表面氮的化学状态,结合离子刻蚀方法,研究了辐照区表面氮和硅沿深度方向的浓度分布和价态演变过程,讨论了氮的引入机理和它的扩散行为。
激光辐照区表面氮的研究
【摘 要】
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文章使用XPS技术研究激光辐照区,报道了在激光辐照表面有高浓度氮的引入,在比较不同工艺条件对表面氮浓度影响的基础上,运用化学位移理论和谱峰拟合技术,分析了辐照区表面氮
【机 构】
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浙江大学半导体材料研究所,浙江大学半导体材料研究所310027杭州,310027杭州,310027杭州
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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1991年6期
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