VHF-PECVD制备微晶硅材料及电池

• 作 者: 张晓丹 赵颖 朱锋 魏长春 高艳涛 孙健 侯国付 薛俊明 耿
• 机 构: 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所
• 出 处: 半导体学报
• 发表日期: 2005年5期
• 关键词: 甚高频等离子体增强化学气相沉积 微晶硅薄膜 微晶硅电池 very high frequency plasma enhanced chemical vapor d
• 基金项目: 国家重点基础研究发展规划(批准号:G2000028202,G2000028203),天津市教育局重点项目(批准号: 02176),教育部重大项目(批准号:02167),国家高技术研究发展计划(批准号:2002303261)资助项目~~

采用VHF-PECVD技术制备了不同功率系列的微晶硅薄膜和电池，测试结果表明：制备的适用于微晶硅电池的有源层材料的暗电导和光敏性都在电池要求的参数范围内．低功率或高功率条件下，电池从n和P方向的喇曼测试结果是不同的，在晶化率方面材料和电池也有很大的差别，把相应的材料应用于电池上时，这一点很重要．采用VHF-PECVD技术制备的微晶硅电池效率为5％，Voc=0．45V，Jsc=22mA／cm^2，FF=50％，Area=0．253cm^2．