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Daimlar Chrysler Research Center and Umiversity of Ulm首先报道了在GaAs衬底上生长应变In 0.52 Ga 0.48 As PIN二极管，并可用作开关MMIC。由于其底的开启电压和低的开启电阻，InP基In GaAs PIN二极管胜过GaAs开关电路，同时还具有低的DC功率以及极高的隔离度。为了避免InP衬底的有关工艺问题，采用MBE方法把应变层InGaAs二极管生长在GaAs上，采用线性InA1As应变缓冲层，其结果是消除94%的应力。rn 已报道的SPST隔离度高达45dB，0.85dB低的插入损耗，在70GHz下，直流损耗仅为1.74mW、SPDT在58GHz下已取得—28dB的隔离和-1.8dB的插入损耗。可望在GaAs衬底上与InGaAs HEMT和PIN二极管一起集成。rn (一凡)