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针对传统小型逆变器存在功率密度低、转换效率低及体积较大的问题,本文提出一种基于新型半导体材料氮化镓(GaN)的全桥拓扑分析,在分析氮化镓(GaN)GS66502的等效电路基础上。
基于新型半导体材料氮化镓(GaN)的全桥逆变实验装置
【摘 要】
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针对传统小型逆变器存在功率密度低、转换效率低及体积较大的问题,本文提出一种基于新型半导体材料氮化镓(GaN)的全桥拓扑分析,在分析氮化镓(GaN)GS66502的等效电路基础上。
【机 构】
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重庆理工大学电气与电子工程学院
【出 处】
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科教导刊（电子版）
【发表日期】
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2018年9期
【基金项目】
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重庆市高等学校大学生创新创业训练计划项目(201711660017),重庆理工大学学生科研立项科技发明制作课题(KLB17047),重庆市教委十三五教育科学规划课题校企协同”下电气专业工程实践教学创新(2017-GX-384)
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