单粒子瞬态脉冲宽度量化与自测试电路设计

• 作 者: 向一鸣 蒋见花 戴睿 王雷
• 机 构: 中国科学院微电子研究所
• 出 处: 微电子学与计算机
• 发表日期: 2014年10期
• 关键词: 单粒子瞬态(SET) 辐射效应 片内测试 SOI Single-Event Transient(SET)Radiation EffectBuilt-in Tes

为了研究组合逻辑中单粒子瞬态(Single-Event Transient,SET)的特性,采用片上测量技术提出了一套SET脉冲宽度测量方案.针对SET脉冲特性,设计了一种基于自主触发的脉冲测量电路,提出了一种用于自测试验证的脉冲激励电路.基于本所350nm SOI工艺,完成了一款集脉冲收集、测量、自测试于一体的SET重离子辐射测试芯片.通过仿真分析,验证了该方案的有效性.此方案为其他深亚微米工艺下SET研究提供了参考.